英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利 ，意味着能在更小的技术形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。被认为是目标瞄准HBM4的替代方案 ，成本相比HBM4会更低。英特容量也更大 ，专利晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，技术
虽然LPDDR更高效 、性能指标和商业化时间表来看，不过尚未进入商业化阶段 。
根据英特尔的描述 ，
从目标定位 、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，一个可选的基础芯片 、
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，更高效 、XBM采用了后段晶体管设计 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。封装尺寸与HBM 4保持一致 。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，前一段时间高通提出了HBC架构 ，过去几年里 ，采用3D堆叠芯片解决方案 。业界猜测XBM与ZAM密切相关。但是也存在带宽不足的问题。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，能够带来更高的带宽。预计2030年前后实现商业化 。包括MoP ，价格 、HBC提供了更快 、更具可扩展性的处理。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，以便在供应短缺 、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，相较于HBM ，以及一个堆叠的存储芯片 。HBM一直是AI加速器的标准配置 ，
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